一、活动主题

学术报告：低维结构在宽禁带半导体光电器件中应用探究

二、活动时间

2026年4月27日（周一）15:00

三、活动地点

金花校区西纺报告厅

四、主讲嘉宾

苏杰教授

五、活动内容

新型半导体光电器件技术是我国战略规划的重点。近年来，报告人围绕新型半导体及光电器件领域性能优化常规手段面临的本征性能限制难突破、光电响应性能难兼容、高性能与稳定性难协同等共性科学问题，创新性地通过引入新型半导体二维（2D）结构、极性二维/三维（2D/3D）异质结及多功能 2D/3D 双异质结光电器件等新理念和设计，发掘了新型半导体及光电器件界面性能优化的创新理论和策略，克服了常规优化手段面临的难题，为设计制备高性能半导体及光电器件和加快其实用化步伐提供了可靠的理论基础和有效的方法策略。

六、参加人员

材料相关专业教师、研究生

人事处 材料工程学院

2026年4月22日

报告人简介：

苏杰，西安电子科技大学集成电路学部教授、博士生导师，国家级青年人才、陕西省青年科技新星、三秦新星，知名期刊Microstructure、Journal of Materials Informatics客座/青年编辑，长期从事宽禁带半导体材料及光电器件物理研究和应用，完成科技部变革性项目课题、国家自然科学基金（重大/面/青）项目、博士后创新人才计划等10余项科研项目，获得陕西省电子学会自然科学一等奖、芯缘科技创新奖、陕西省博士后创新大赛银奖等。近年来，以第一/通讯作者在Science、Nature Energy、Nature Communication、Advanced Materials、Materials Today Physics等期刊上发表论文80余篇，他引2000余次， H-index大于30，申请发明专利20余项，部分成果已推进产业化应用，且被科学网、国家自然科学基金委官网、半导体产业网等网站和公众号作为亮点进行宣传报道。